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创维半导体设计大厦

工程地址: 深圳市南山高新区南区[2007-003-0101]地块
建筑高度: 110 m
幕墙面积: 47000 ㎡
幕墙类型: 单元式玻璃幕墙、框架玻璃幕墙、裙楼‘喇叭口’及采光顶

工程说明

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